n su llamada trimestral de ganancias, TSMC expresó confianza en que la mayoría de sus clientes de nodo de producción de proceso de 7 nm (N7) buscarían hacer la transición a su proceso de 6 nm (N6). De hecho, la compañía espera que ese nodo se convierta en el mayor objetivo para pedidos de volumen (y, por lo tanto, en producción) entre sus clientes, ya que la nueva tecnología de fabricación de N6 brindará una especie de “compatibilidad hacia atrás” con las herramientas de diseño y los diseños de semiconductores que tienen los fabricantes. Ya ha invertido en su nodo N7, lo que permite ahorros de costos para sus clientes.

Esto es a pesar de que el proceso N6 de TSMC puede aprovechar la litografía ultravioleta extrema (EUVL) para reducir la complejidad de fabricación. Esta reducción se logra por el hecho de que se requieren menos exposiciones del silicio para los patrones múltiples, lo que se necesita hoy en día, ya que el N7 de TSMC utiliza únicamente litografía ultravioleta profunda (DUV). Interesantemente, TSMC espera que otros clientes adquieran su nodo de fabricación N7 + que aún no esté usando su nodo de 7 nm, la necesidad de desarrollar nuevas herramientas y una menor compatibilidad de diseño entre sus nodos N7 y N7 + en comparación con N7 y N6 no es la justificación. El N7 + de TSMC será el primer nodo en aprovechar EUV, utilizando hasta cuatro capas de EUVL, mientras que N6 lo expande hasta cinco capas, y el próximo N5 arranca EUVL hasta catorce (permitiendo 14 capas).