Samsung Electronics Co., Ltd., el líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que comenzó a producir en masa el primer almacenamiento flash universal (eUFS) 3.0 de 512 gigabytes (GB) para dispositivos móviles de próxima generación. En línea con la última especificación de eUFS 3.0, la nueva memoria de Samsung ofrece el doble de la velocidad del almacenamiento de eUFS anterior (eUFS 2.1), permitiendo que la memoria móvil admita experiencias de usuario sin problemas en futuros teléfonos con pantallas de gran resolución y gran tamaño.
“El comienzo de la producción en masa de nuestra línea eUFS 3.0 nos brinda una gran ventaja en el mercado móvil de la próxima generación al cual traemos una velocidad de lectura de memoria que antes solo estaba disponible en computadoras portátiles ultra delgadas”, dijo Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Venta y comercialización de memorias en Samsung Electronics. “A medida que ampliamos nuestras ofertas de eUFS 3.0, incluida la versión 1-Terabyte (TB) a finales de este año, esperamos desempeñar un papel importante en la aceleración del impulso dentro del mercado móvil premium”.
El Samsung eUFS 3.0 de 512 GB apila ocho de la quinta generación V-NAND de 512 gigabits (Gb) de la compañía e integra un controlador de alto rendimiento. A 2,100 megabytes por segundo (MB / s), el nuevo eUFS duplica la velocidad de lectura secuencial de la última memoria de eUFS de Samsung (eUFS 2.1) que se anunció en enero. La asombrosa velocidad de lectura de la nueva solución es cuatro veces más rápida que la de una unidad de estado sólido (SSD) SATA y 20 veces más rápida que una tarjeta microSD típica, lo que permite a los teléfonos inteligentes premium transferir una película Full HD a una PC en aproximadamente tres segundos *.
Además, la velocidad de escritura secuencial también se ha mejorado en un 50 por ciento a 410MB / s, que es equivalente a la de un SSD SATA.
Las velocidades de lectura y escritura aleatorias de la nueva memoria proporcionan un aumento de hasta el 36 por ciento con respecto a la especificación actual de la industria eUFS 2.1, con 63,000 y 68,000 operaciones de entrada / salida por segundo (IOPS), respectivamente. Con las importantes ganancias en lecturas y escrituras aleatorias que son más de 630 veces más rápidas que las tarjetas microSD generales (100 IOPS), se pueden ejecutar simultáneamente varias aplicaciones complejas, al mismo tiempo que se mejora la capacidad de respuesta, especialmente en la última generación de dispositivos móviles.
Siguiendo el eUFS 3.0 de 512 GB y la versión de 128 GB que se lanzarán este mes, Samsung planea producir modelos de 1 TB y 256 GB en la segunda mitad del año, para ayudar aún más a los fabricantes mundiales de dispositivos a entregar mejor las innovaciones móviles del futuro.
